电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

TSM055N03PQ56 RLG

在2个相关元器件中,TSM055N03PQ56 RLG有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor MOSFET 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet 下载
TSM055N03PQ56RLG Taiwan Semiconductor 30V N-Channel MOSFET 下载
TSM055N03PQ56 RLG的相关参数为:

器件描述

MOSFET 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet

参数
参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PDFN56-8
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压30 V
Id-连续漏极电流80 A
Rds On-漏源导通电阻4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压10 V
Qg-栅极电荷11.1 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散74 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装Reel
晶体管类型1 N-Channel
下降时间9.6 ns
上升时间14.5 ns
工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间35.2 ns
典型接通延迟时间7.5 ns
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   06 0N 5N 9C D3 EA F5 GP GR L8 M5 OF OX WO Z5

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved